〇 2014년 12월 19일, 일본 도시바社는 SK 하이닉스社를 상대로 반도체기술의 부정취득에 대하여 제기한 소송을 모두 취하하기로 하고, 공동기술 개발 등 협력을 확대하기로 합의하였다고 발표함
  - (배경) 지난 2014년 3월 13일, 도시바社는 「NAND형 플래시 메모리¹⁾」 관련 기술에 관한 기밀 정보를 부정 취득·사용했다고 하여, SK 하이닉스社를 상대로 도쿄 지방법원(東京地裁)에 부정경쟁방지법에 의한 손해배상청구소송을 제기한 바 있음
 
〇 (주요내용) 양사의 합의금액은 약 2억 7,800만 달러이며, 기존 반도체 특허 상호 라이선스와 제품 공급계약을 연장하기로 합의함
  - 도시바社 측은 당사의 기밀정보가 부정하게 취득・사용된 것은 유감이지만, 향후 메모리 사업 확대를 위해서 협업하는 것이 당사의 이익으로 된다고 판단하였다고 설명함
  - SK 하이닉스社 측은 소송 취하는 물론 기존 반도체 특허 상호 라이선스와 제품 공급계약 연장을 통해, 분쟁으로 인한 사업 불확실성을 완화해 안정적인 판매 기반을 유지할 수 있게 되었다고 설명함


1) 「NAND형 플래시 메모리」는 1987년에 Toshiba社가 개발한 것으로, 전원이 끊어져도 데이터가 지워지지 않는 반도체이며 스마트폰이나 디지털 카메라의 부품으로 쓰임. 전 세계 시장 점유율은 Toshiba社와 한국 삼성전자社가 각각 30% 이상으로 양대 산맥을 형성하고 있고, SK 하이닉스社는 10% 이상으로 4위임.