〇 4월 25일, 일본 신일본제철(NSC)社는 미국 Cree社와 SiC 단결정 웨이퍼에 관한 특허에 대해 크로스 라이선스 계약을 체결했다고 발표함

〇 NSC社는 자사 기술연구소에서 연구개발을 통해 일본 최초로 4인치 SiC 단결정 웨이퍼의 실현에 성공하였다고 밝힌 바 있음
  - SiC 단결정 웨이퍼는 반도체 소자의 제조에 주로 이용되고 있는 Si 웨이퍼에 비해 절연파괴 전계강도(반도체와 절연체의 절연파괴를 일으키는 최대 전계강도)와 열전도성 반도체 특성이 우수함. 또한 다이오드, 트랜지스터 등의 반도체 소자에 적용할 경우, Si에 비해 내전압의 향상이 가능해지고 전력변환손실도 줄어들어 태양광 발전용 인버터의 전력 에너지 고효율 운영화와 다양한 분야에서 에너지 절약을 실현할 수 있는 핵심 기술로 주목을 받고 있음

〇 NSC社는 세계 최고의 SiC 웨이퍼 기술을 가진 양사가 맺은 이번 크로스 라이선스 계약 체결로 상호 보유한 특허를 이용하여 고품질의 SiC 웨이퍼를 생산하게 될 것이라고 밝힘
  - 또한, SiC 웨이퍼의 안정적인 글로벌 공급이 가능해짐에 따라, SiC 디바이스 개발 및 양산을 가속화하고 SiC 디바이스 시장의 확대 및 전자산업의 활성화에 크게 기여할 것임