〇 7월 20일, 일본 과학기술진흥기구(JST)는 한국의 삼성전자와 고성능 박막 트랜지스터에 관한 특허 라이선스 계약을 체결했다고 발표함
  - 이 기술은 도쿄(東京)공업대학 호소노 히데오(細野秀雄) 교수가 JST의 지원을 받아 발명한 것임
  - 삼성전자는 이 기술을 이용하여 대형·3차원형 디스플레이를 개발하고 1~2년 후 제품화하는 것을 목표로 하고 있음

〇 새로운 트랜지스터는 실리콘으로 만들어진 기성품과는 달리, 금속 산화물인 유리를 사용한 것이 특징임
  - 유리는 전자의 이동 효율이 높아 더욱 높은 해상도의 디스플레이를 제조할 수 있게 됨

〇 이번 라이선스에 따른 로열티 수입은 역대 최고인 나고야(名古屋)대학 아카사키 이사무(赤崎勇) 특별교수가 개발한 청색 발광다이오드(약 56억 엔)와 비슷한 수준으로 전망됨
    * 디스플레이 분야는 10조 엔 규모의 거대 시장임

〇 JST는 삼성전자가 세계적인 디스플레이 업체로서 연구개발과 실용화에 가장 적극적이기 때문에 라이선스 계약을 맺었지만, 독점계약은 아니라고 밝힘
  - JST에는 전체 수입의 일부(%)가 지불될 예정임