〇 5월 29일, 일본 과학기술진흥기구(Japan Science and Technology Agency, JST)는 산화물반도체(oxide semiconductor)를 이용한 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 관련 특허에 대한 라이선스계약을 일본 Sharp社와 체결했다고 발표함
   * 산화물반도체는 반도체 중에서 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn) 등과 같은 금속산화물로 만들어진 반도체로써 이를 활용하면 고밀도 경량 디스플레이의 구현 및 원가절감이 가능함

〇 이 특허는 도쿄공업대학(東工大)의 호소노히데오(細野秀雄) 교수가 JST의 「창조과학기술추진사업(創造科学技術推進事業)」의 지원으로 관련 기술을 개발하여 특허출원하였으며, JST가 특허에 대한 라이선스를 관리하고 있음
  - 호소노 교수는 2004년에 산화물반도체를 박막 트랜지스터에 이용하면 기존에 LCD 패널에서 사용된 아몰퍼스실리콘(a-Si)에 비해 전자이동 속도가 월등히 빠르다는 사실을 발견해 「Nature」誌에 발표함

〇 Sharp社는 반도체에너지연구소(半導体エネルギー研究所)와 함께 산화물반도체를 이용한 고성능 액정패널을 개발하여 지난 3월부터 본격적인 생산에 들어감
  - 이 기술을 이용하면 LCD 패널의 고정밀화 및 저소비전력화를 도모할 수 있기 때문에 Sharp社는 이를 모바일 기기, 노트북, 모니터 등에 응용하여 기술적용 범위를 확대할 방침임

〇 JST와 Sharp社는 특허 라이선스계약을 지난 1월 20일에 체결하였으나, Sharp社가 산화물반도체를 이용한 액정패널 생산을 본격적으로 개시할 때까지 계약 체결 사실의 공표를 미루어 옴