〇 8월 21일, 반도체 제조설비 및 전자현미경 등을 제조하는 일본 히타치 하이테크(日立ハイテク)社는 초강력 이온빔(Focused Ion Beam, FIB) 장치에 관한 특허분쟁 사건과 관련해 미국의 FEI社와 화해하고 특허 크로스 라이선스 계약을 체결했다고 발표함
  - 히타치 하이테크社는 지난 2009년 11월에 자사 FIB 장치의 마이크로 샘플링 기술에 관한 특허 등이 침해되었다는 이유로 FEI社을 상대로 제조ㆍ판매 등의 금지와 손해배상을 요구하는 소송을 도쿄 지방법원에 제기함
  - 히타치 하이테크社는 또한 세관에도 FEI社가 제조한 장치에 대해 수입금지 조치를 요청하여 지방법원과 세관으로부터 수입ㆍ판매 금지의 가처분 결정 및 수입금지 조치 등을 수락받음

〇 이에 FEI社는 히타치 하이테크社가 제기한 특허침해소송을 해결하기 위해 FIB 관련 특허의 라이선스 취득을 희망한다는 의사를 타진하였고 이번 라이선스 계약에 합의하기에 이름
  - 히타치 하이테크社는 이번 라이선스 계약에 근거하여 본건과 관련된 모든 특허 소송·행정 절차 청구를 철회하고, FEI社는 히타치 하이테크社에 1천 5백만 달러를 지급하기로 합의함
  - FEI社와 히타치 하이테크社 간에 체결된 기본적인 라이선스 계약은 크로스라이선스 형태로써 이에 따라 양사는 FIB 관련 기술을 공유하기로 하였으며, 그 외의 계약 조건에 대해서는 공표하지 않음

〇 히타치 하이테크社는 이번 라이선스 계약 발표와 함께 지식재산권을 매우 중요한 경영 자원으로 보호할 것이며, 향후에도 자사의 지식재산권이 침해되었다고 판단되는 경우에는 강경히 대응할 방침이라고 밝힘